针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器(10 ps步进TTD)、5位数控衰减器(1 d B步进ATT)、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3~17 GHz频段内实现了10~310 ps延时范围,1~31 d B衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 d B,发射1 d B压缩输出功率P1 d B_Tx大于12 d Bm,接收1 d B压缩输出功率P1 d B_Rx大于10 d Bm,全态输入输出驻波均小于1.7,+5 V下工作电流130 m A,-5 V下工作电流12 m A。衰减器全态RMS精度小于1.4 d B,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1d B设计和制作了一款尺寸为4．5mm×5．0mm×0．07mm的超宽带延时幅相控制多功能芯片多功能芯片的设计-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港电动滚圆机滚弧机折弯机。国内鲜见相关报道。1多功能电路的设计本文所设计的超宽带幅相控制多功能芯片是三端口器件，包括接收(Tx_out)、发射(Ｒx_in)和负载态3个支路本文由公司网站大棚折弯机网站 转摘采集转载中国知网整理!    http://www.dapengzhewanji.com/，由4个单刀双掷开关来进行T/Ｒ切换，其中负载态支路是为了方便多功能芯片在非工作状态时公共端口可以达到匹配状态。微波接收和发射支路共用5位数控延时器(10ps步进)、5位数控衰减器(1dB步进)和2个行波放大器。多功能电路的原理图如图1所示。图中S1、S2、S3和S4为单刀双掷开关，TTD为5位数控延时器，ATT为5位数控衰减器。AMP1和AMP2为行波放大器。多功能芯片含12位并行数字驱动器，其输出12对互补型电压用于控制射频路的收发转换和延时衰减的状态切换，实现幅相控制。由于该多功能电路具有很高的集成度，在设计中也要充分考虑内部信号的隔离度、单功能电路的级间匹配，另外，版图布局和电磁兼容问题对幅相控制多功能的设计也起了至关重要的作用。由于本次设计的电路为3～17GHz超宽带多功能电路，频率高低端损耗存在较大差异，靠放大器正斜率设计很难满足增益平坦度的要求。需要引入均衡器对幅度进行均衡。幅度均衡器可以显著改善宽频带微波电路的幅频特性，幅度均衡器的设计应使得前后级联后有较为平坦的幅频特性且输入输出电压驻波比尽量校另外，设计出高性能的超宽带开关、延时器、衰减器和行波放大器对该幅相控制多功能芯片甚至整机系统性能的提升尤为关键［7］。图1多功能芯片原理图1．1反射式单刀双掷开关的设计GaAsPHEMT器件工作在无源模式，在源极和漏极直流接地、栅极电压分别为0V和－5V时，器件作为微波开关工作在低阻抗状态(开态)和高阻多功能芯片的设计-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港电动滚圆机滚弧机折弯机本文由公司网站大棚折弯机网站 转摘采集转载中国知网整理!    http://www.dapengzhewanji.com/